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      英特爾嵌入式多芯片互連橋接技術實現的異構SiP集成電路

         日期:2021-07-09     來源:免費發外鏈    瀏覽:918    
      英特爾嵌入式多芯片互連橋接技術實現的異構SiP集成電路

      為了打破高性能系統中的帶寬瓶頸,Altera公布了該公司聲稱的業界首個異構系統級封裝(SiP)器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲器(HBM2)與高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。

      HBM2垂直堆疊DRAM裸片,并使用硅通孔(TSV)和微凸塊將它們互連。采用英特爾嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)技術實現異構SiP集成,該技術依靠硅橋將多個芯片連接在一起。與基于插入器的解決方案相比,EMIB技術 - 芯片之間的走線非常短 - 據說可以在更低的功耗下提供更高的性能。

      它的架構方式,據說SiP相對于分立DRAM解決方案提供超過10倍的內存帶寬。 Stratix 10 DRAM SiP將使用戶能夠以節能的方式定制其工作負載并實現最高的存儲器帶寬。 Altera正積極與十幾家客戶合作,將這些DRAM SiP產品集成到他們的下一代高端系統中。

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      關鍵詞: 英特爾
       

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